教育新闻网上周在首尔举行的2019年存储与存储日上，英特尔发布了几条有关其Optane持久存储以及NAND闪存容量的公告。
Optane是Intel的一种新型非易失性存储器，具有固态驱动器(SSD)的存储容量，但速度几乎与DRAM相等。它位于内存和存储之间，充当大型快速缓存。尽管有些采用PCI Express卡设计，但主要的设计是插入主板的DRAM记忆棒。他们花了一笔钱。512GB Optane棒将为您带来8,000美元的收益。
到目前为止，Optane仅可用于其最新的服务器芯片第二代Intel Xeon可扩展处理器。但是在展会的一张幻灯片中，英特尔宣布了用于高端工作站的Optane DCPMM，该处理器在工作站上使用的Core i9和Xeon CPU上运行。有一系列Xeon处理器(主要是E5系列)设计用于CAD和其他性能密集型工程工作中使用的工作站。
Optane以三种模式运行：App Direct模式，该模式用作持久存储;内存模式，用作DRAM;和混合模式，在这两种用例中，内存的一部分均已分区。在App Direct模式下，这将大大加快磁盘写入速度，因为不再有工作站不再带有SSD作为启动驱动器了，这无疑会提高应用程序的性能。
该公司还在展会上展示了一种新的96层四级单元(QLC)驱动器，该驱动器将于本季度投入生产并于明年发货。QLC驱动器每个单元具有四个存储位，而大多数SSD的每个单元具有三个存储位。
英特尔正在将QLC驱动器推向市场，但并没有止步于此。它宣布了五级单元(PLC)，每个单元有五个位，并计划在明年推出。他们将不得不做一些严肃的工程魔术，因为QLC的缺点之一是使用寿命很短。三层单元(TLC)的寿命为3,000至5,000次写入。之后，细胞降解，最终变得无用。一个QLC单元的寿命只有1,000次写入，因此在繁重的I / O情况下，它的死亡速度会更快。
英特尔也在增加层次。当禁止以二维方式分布晶体管时，存储器制造商转向堆叠，这恰恰是其名称的含义：存储器层像煎饼一样堆叠。英特尔的QLC驱动器具有96层内存，从明年开始将达到144层。其余DRAM行业的目标是128层。
毫无疑问，Optane是英特尔的主要竞争优势，而AMD没有答案。AMD拥有核心和性能领先者，这之间的差距要容易得多。如果AMD和Micron联手做出竞争性回应，我不会感到惊讶，但这绝非一朝一夕的事情。
闪存更令人怀疑。由于QLC的写入限制较低，因此我对QLC的可行性仍然不愿出售。也许超大规模数据中心运营商对硬件故障有很高的容忍度，但企业却没有，并且几个月后他们将不愿意更换SSD。在使我确信QLC和PLC的可行性之前，需要进行一些认真的基准测试。
