SK海力士现已量产高速HBM2E存储芯片

早在2019年，SK Hynix宣布已成功开发了新一代DRAM存储芯片。这些新芯片被标记为HBM2E，现在终于可以进行批量生产了。

根据官方的说法，HBM2E的每引脚性能为3686.4Gbps。这意味着带宽超过460GB / s，总共有1024个I / O(输入/输出)。HBM2E架构堆叠了八个具有TSV(直通硅通道)技术的16千兆位DRAM芯片，以实现16GB的总容量，是上一代HBM2存储器的两倍以上。

对于那些不知道的人，HBM2是AMD在2015年首次发布的前一代Radeon Fury显卡中使用的内存。尽管具有各种优势，但其高昂的成本和其他限制因素导致其最终在后代中停产。尽管现在，SK Hynix推出了最新一代的内存解决方案，该解决方案随带有深度学习加速器的AI系统一起提供，这对于高性能计算机很有用。