SiGe整流二极管可在高温下保持效率

150V和200V的零件正在准备中。

热失控与肖特基二极管进行了比较，肖特基二极管的反向漏电流在高温下会迅速上升，如果使用不当，则会导致热失控。

以额定2A的PMEG120G20ELR为例(请参见下表)，在25°C(30nAmax)时120V反向泄漏通常为300pA，在150°C(200μAmax)时为20μA。

还要求低正向电压和反向恢复电荷。从数据表中，我得到：770mV(25°C)，860mV(-40°C)或620mV(125°C)的典型数字，然后是5nC。该公司表示：“这些SiGe整流器的优势是可将传导损耗降低10%至20%。”

它们通过了AEC-Q101认证，可用于汽车。

前四个正在生产中：

Nexperia称，随后还将出现另外八台额定电压为150或200V的设备，尽管目前尚无数据表，但这些设备正在采样。

CFP3(1.9 x 3.7mm)和CFP5(2.7 x 5mm)封装具有坚固的铜夹，以改善热传递–分别与焊接点的结温为18和12K / W。Nexperia表示：“切换到SiGe技术时，可以简单地对肖特基二极管和快速恢复二极管进行引脚到引脚的替换，”

预计在汽车(发动机控制单元或燃油喷射)和LED照明以及通信基础设施和服务器中的高温下将有特殊应用。