Vishay推出了一款30V n沟道MOSFET半桥功率级

MOSFET在降压转换器中针对各自的任务进行了优化(请参见表和图表)。一种在10V时具有4.5mΩ的最大导通电阻(在4.5V时为7.0mΩ)，通常具有6.9nC的栅极电荷;另一种在10V时具有1.84mΩ(在4.5V时为2.57mΩ)且通常为9.4nC。

额定电流为20-30A或更高，具体取决于温度和散热片-参见数据表。

“该器件为设计人员提供了节省空间的解决方案，用于图形和加速卡，计算机，服务器以及电信和RF网络设备中的负载点转换，电源以及同步降压和DC-DC转换器，”威世

威世-SiZF300DT“双mosfet具有独特的引脚配置和结构，与相同占位面积的竞争产品相比，每相电流输出电流最多提高11%，此外，输出电流高于20A时效率更高。”