研究人员创造了超低损耗氮化硅集成光子电路

EPFL 的科学家已经开发出超低损耗氮化硅集成电路 (IC)。此类 IC 对于光子器件至关重要，例如芯片级频率梳、窄线宽激光器、相干激光雷达和神经形态计算等。这种IC可以将信息编码成光，通过光纤传输，被描述为光通信的核心部件。

EPFL 团队创建的 IC具有 1 dB/m 的损耗，这是非线性集成光子材料的记录值。研究人员表示，这种类型的超低损耗对于集成光子学至关重要，允许使用片上波导合成、处理和检测光信号。如此低的损耗将减少用于构建用于多种应用的芯片级光频梳的功率预算。

新技术可以以创纪录的低光损耗和小尺寸构建氮化硅集成光子电路。新技术用于使用高质量因子微谐振器在 5×5 平方毫米芯片上开发一米长的波导。研究人员还报告说，他们的技术具有很高的制造产量，据说对工业生产至关重要。

光频锥用于相干光收发器、低噪声微波合成器、激光雷达、神经形态固定计算和光原子钟等应用。该项目的研究人员表示，他们期待看到他们的芯片设备用于新兴应用，包括相干激光雷达、光子神经网络和量子计算。这类芯片通常由硅制成，但这种芯片突破是基于氮化硅。目前尚不清楚何时可以将新 IC 集成到商用产品中。