三星开始量产四款用于自动驾驶和电动汽车的新芯片

三星的半导体存储器芯片的世界领导者，已经宣布，它已经开始为下一代自主车批量生产的四个新的芯片。该公司的新产品阵容包括 SSD、UFS 存储芯片、GDDR6 显存和 DDR4 RAM。

这家韩国公司的新型 256GB PCIe Gen. 3 NVMeSSD、2GBDDR4DRAM、GDDR6DRAM和 128GB UFS 存储专为下一代车载信息娱乐系统而设计。该公司表示，高清地图、视频流和 3D 游戏在自动驾驶和联网汽车中越来越受欢迎，这正是该公司新存储芯片的目标。

三星的256GB BGA SSD 具有 2,100MB/s 的顺序读取速度和 300MB/s 的顺序写入速度。这是目前汽车中使用的 eMMC 存储芯片提供的速度的 7 倍和 2 倍。2GB GDDR6 DRAM 提供每引脚 14Gb/s 的数据传输速率，非常适合处理复杂的多媒体应用、大量自动驾驶数据和多个摄像头输入。

此外，公司新推出的车载内存产品均通过了AEC-Q100认证。这意味着它们通过了全球汽车可靠性测试，即使在极端温度(-40°C 至 +105°C)下也能完美运行，这对汽车半导体至关重要。

三星电子执行副总裁兼内存全球销售与营销主管 Jinman Han 表示：“随着近期电动汽车的激增以及信息娱乐和自动驾驶系统的快速发展，半导体汽车平台正面临范式转变。过去七到八年的更换周期现在被压缩为三到四年的周期。”